
漏源极电阻 14.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
产品系列 IRF3710ZS
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100V min
连续漏极电流Ids 59A
上升时间 77.0 ns
封装 TO-263
封装 TO-263
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3710ZS | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 100V 59A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3710ZS 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-Channel 100V 59A 14mΩ | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 59A | 当前型号 | |
型号: IRF3710ZSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 59A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V | IRF3710ZS和IRF3710ZSTRLPBF的区别 | |
型号: AUIRF3710ZS 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-CH 100V 59A | 功能相似 | INFINEON AUIRF3710ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 V | IRF3710ZS和AUIRF3710ZS的区别 | |
型号: IRF3710ZSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 59A | 功能相似 | INFINEON IRF3710ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V | IRF3710ZS和IRF3710ZSPBF的区别 |