IPP042N03LGHKSA1、IPP042N03LGXKSA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPP042N03LGHKSA1 IPP042N03LGXKSA1

描述 TO-220 N-CH 30V 70AInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03LGXKSA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 79 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0035 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 79W (Tc) 79 W

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 70A 70A

上升时间 5.6 ns 5.6 ns

输入电容(Ciss) 3900pF @15V(Vds) 3900pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W

下降时间 4.4 ns 4.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc)

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not For New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC