IPP042N03LGHKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 79W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 3900pF @15VVds
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IPP042N03LGHKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 N-CH 30V 70A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IPP042N03LGHKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220-3 N-CH 30V 70A | 当前型号 | TO-220 N-CH 30V 70A | 当前型号 | |
型号: IPP042N03LGXKSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 70A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03LGXKSA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装 | IPP042N03LGHKSA1和IPP042N03LGXKSA1的区别 |