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LM185BYH-1.2、LM385H-1.2、LM385BH-1.2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM185BYH-1.2 LM385H-1.2 LM385BH-1.2

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeV-Ref Precision 1.235V 20mA 2Pin TO-46V-Ref Precision 1.235V 20mA 2Pin TO-46

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特) Linear Technology (凌力尔特)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-46-2 TO-46 TO-46

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

容差 ±1 % - -

输出电流 20 mA - -

通道数 1 - -

输出电压(Min) 1.235 V - -

高度 - 2.67 mm 2.67 mm

封装 TO-46-2 TO-46 TO-46

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TA) - -

温度系数 ±50 ppm/℃ - -