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TLC2272QD、TLC2272QDRG4Q1、TLC2272CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272QD TLC2272QDRG4Q1 TLC2272CDR

描述 高级LinCMOSTM轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOSTM RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到-RAIL运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO -RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC2272CDR.  运算放大器, 双路, 2.18 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 2.4 mA 2.4 mA 2.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 0.725 W -

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) - 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

增益带宽 2.25 MHz - 2.25 MHz

针脚数 - - 8

电源电压(Max) - - 8 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15