TJ8S06M3L、2SJ668(TE16L1,NQ)对比区别

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型号 TJ8S06M3L 2SJ668(TE16L1,NQ)

描述 TOSHIBA  TJ8S06M3L  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -8 A, -60 V, 0.08 ohm, -10 V, -3 VTOSHIBA  2SJ668(TE16L1,NQ)  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 PW-Mold-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.08 Ω 0.17 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 27 W 20 W

阈值电压 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 890pF @10V(Vds) 700pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 27 W -

连续漏极电流(Ids) - 5.00 A

上升时间 - 14 ns

下降时间 - 14 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 20W (Tc)

封装 TO-252 PW-Mold-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

含铅标准 - PB free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15