TJ8S06M3L
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Toshiba
东芝
分立器件
TJ8S06M3L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 27 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 890pF @10VVds
额定功率Max 27 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准 Exempt
TJ8S06M3L引脚图与封装图
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在线购买TJ8S06M3L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TJ8S06M3L | Toshiba 东芝 | TOSHIBA TJ8S06M3L 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -8 A, -60 V, 0.08 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |
替代型号TJ8S06M3L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TJ8S06M3L 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-252 P-Channel | 当前型号 | TOSHIBA TJ8S06M3L 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -8 A, -60 V, 0.08 ohm, -10 V, -3 V | 当前型号 |
| 型号： 2SJ668TE16L1,NQ 品牌： 东芝 封装： PW-Mold P-Channel 5A | 功能相似 | TOSHIBA 2SJ668TE16L1,NQ 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 2 V | TJ8S06M3L和2SJ668TE16L1,NQ的区别 |