D45C8、NTE378、TIP32AG对比区别
描述 Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NTE ELECTRONICS NTE378 双极性晶体管PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -4.00 A - 3.00 A
针脚数 3 3 3
极性 PNP P-Channel, PNP PNP, P-Channel
耗散功率 60 W 50 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80.0 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V - 10 @3A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 120 - -
额定功率(Max) 60 W - 2 W
直流电流增益(hFE) 40 60 50
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW - 2000 mW
集电极最大允许电流 - 10A 3A
频率 - - 3 MHz
增益频宽积 - - 3 MHz
热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)
长度 10.67 mm - 10.28 mm
宽度 4.83 mm - 4.83 mm
高度 9.4 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412900951 -