JANTX2N3637、JANTXV2N3637对比区别

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型号 JANTX2N3637 JANTXV2N3637

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39-3 TO-39

耗散功率 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

封装 TO-39-3 TO-39

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes -

ECCN代码 - EAR99