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JANTXV2N3637

JANTXV2N3637

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PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 175 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N3637中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 175 V

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTXV2N3637引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3637
型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N3637 Microsemi 美高森美 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTXV2N3637
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTXV2N3637

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-39 1000mW

当前型号

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTX2N3637

品牌： 美高森美

封装： TO-39 1000mW

完全替代

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

JANTXV2N3637和JANTX2N3637的区别

型号： 2N3637L

品牌： 美高森美

封装： TO-39 PNP

类似代替

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

JANTXV2N3637和2N3637L的区别

型号： JANSR2N3637

品牌： 美高森美

封装： TO-39 1000mW

类似代替

Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3Pin TO-39

JANTXV2N3637和JANSR2N3637的区别