APT56F60B2、IXFX48N60Q3、APT56F60L对比区别

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型号 APT56F60B2 IXFX48N60Q3 APT56F60L

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-264 N-CH 600V 60A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 1.04 kW 1000W (Tc) 1040000 mW

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 48A 60A

上升时间 75 ns 11 ns 75 ns

输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 7020pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1040 W

下降时间 60 ns 9 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1000W (Tc) 1040W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 90 mΩ - -

阈值电压 2.5 V - -

漏源击穿电压 600 V - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅