LM258NG、LM358NG、LM358N对比区别
描述 ON SEMICONDUCTOR LM258NG 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, DIP, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR LM358NG 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS LM358N 运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 8 8 8
封装 PDIP-8 PDIP-8 DIP-8
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V
工作电压 3V ~ 32V 3V ~ 32V 3V ~ 32V
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
输出电流 40mA @5V 60 mA -
供电电流 1.5 mA 1.5 mA 700 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 85 dB 70 dB 70 dB
带宽 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz
转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs
增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz
输入补偿电压 2 mV 2 mV 2 mV
输入偏置电流 45 nA 45 nA 20 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
增益带宽 70 dB 1 MHz 1.1 MHz
共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB -
电源电压 3V ~ 32V 3V ~ 32V 3V ~ 30V
电源电压(Max) 32 V - 30 V
电源电压(Min) 3 V - 3 V
耗散功率 - - 500 mW
输入电压 - 0V ~ 28.3V -
长度 10.16 mm 10.16 mm 9.27 mm
宽度 6.6 mm 6.6 mm 6.35 mm
高度 3.44 mm 3.44 mm 3.3 mm
封装 PDIP-8 PDIP-8 DIP-8
工作温度 -25℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -