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JAN1N5814、MUR460、JANTX1N5806对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5814 MUR460 JANTX1N5806

描述 Diode Gen Purp 100V 20A Do203aaDiode: rectifying; 600V; 4A; 22A; 60nsDiode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor Semtech Corporation

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-4 - G-111

安装方式 - Through Hole Through Hole

正向电压 950mV @20A - 0.875 V

反向恢复时间 35 ns 75 ns 25 ns

正向电流 20000 mA - 3300 mA

正向电流(Max) 20 A - 3.3 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

正向电压(Max) - - 875mV @1A

封装 DO-4 - G-111

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃