JAN1N5814
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N5814中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @20A
反向恢复时间 35 ns
正向电流 20000 mA
正向电流Max 20 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-4
外形尺寸
封装 DO-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN1N5814引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN1N5814
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N5814 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-4 | 当前型号 | Diode Gen Purp 100V 20A Do203aa | 当前型号 |
| 型号： 1N5624 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 1N5624 Standard Recovery Diode, 200V, 3A, Single, 1.2V, 200A | JAN1N5814和1N5624的区别 |
| 型号： MUR460 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode: rectifying; 600V; 4A; 22A; 60ns | JAN1N5814和MUR460的区别 |
| 型号： MBR2045CT 品牌： 固锝 封装： | 功能相似 | Diode Schottky 45V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB | JAN1N5814和MBR2045CT的区别 |