IRF6626、IRF6626TR1对比区别

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型号 IRF6626 IRF6626TR1

描述 Direct-FET N-CH 30V 16ADirect-FET N-CH 30V 16A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DirectFET-ST DirectFET-ST

引脚数 5 -

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 16.0 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 5.4 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.2 W 2.2 W

产品系列 - IRF6626

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 16A 16.0 A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2380pF @15V(Vds) 2380pF @15V(Vds)

下降时间 4.5 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)

额定功率(Max) 2.2 W -

长度 4.85 mm 4.85 mm

宽度 3.95 mm 3.95 mm

高度 0.7 mm 0.7 mm

封装 DirectFET-ST DirectFET-ST

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free