IRF6626TR1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6626TR1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 16.0 A
通道数 1
漏源极电阻 5.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.2 W
产品系列 IRF6626
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2380pF @15VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-ST
外形尺寸
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-ST
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6626TR1引脚图与封装图
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在线购买IRF6626TR1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6626TR1 | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 16A | 搜索库存 |
替代型号IRF6626TR1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6626TR1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET-ST N-Channel 30V 16A 4mΩ | 当前型号 | Direct-FET N-CH 30V 16A | 当前型号 |
| 型号： IRF6626 品牌： 英飞凌 封装： DIRECTFET N-Channel 30V 16A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 30V 16A | IRF6626TR1和IRF6626的区别 |