2N1893、JAN2N1893S对比区别

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型号 2N1893 JAN2N1893S

描述 STMICROELECTRONICS  2N1893  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFENPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-5-3 TO-205

额定电压(DC) 120 V -

额定电流 500 mA -

针脚数 3 -

极性 NPN -

耗散功率 800 mW -

增益频宽积 70 MHz -

集电极击穿电压 120 V -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 120 -

额定功率(Max) 800 mW 3 W

直流电流增益(hFE) 80 -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW

长度 9.4 mm -

宽度 9.4 mm -

高度 1.5 mm -

封装 TO-5-3 TO-205

材质 Silicon Silicon

工作温度 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -