
额定电压DC 120 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 800 mW
增益频宽积 70 MHz
集电极击穿电压 120 V
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-5-3
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17

2N1893引脚图

2N1893封装图

2N1893封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N1893 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N1893 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N1893 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-39 NPN 120V 500mA 800mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N1893 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFE | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N3499 品牌: 美高森美 封装: TO-39 NPN | 功能相似 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 2N1893和JANTXV2N3499的区别 | |
型号: 2N4400 品牌: NTE Electronics 封装: TO-92 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N4400 晶体管, NPN, 40V | 2N1893和2N4400的区别 |