SPD11N10、STD18N55M5、SPP04N80C3对比区别

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型号 SPD11N10 STD18N55M5 SPP04N80C3

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - 800 V

额定电流 10.5 A - 4.00 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 90 W 63 W

漏源极电压(Vds) 100 V 550 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 10.5 A 16A 4.00 A

上升时间 46 ns 9.5 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 90 W 63 W

下降时间 23 ns 13 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.18 Ω 1.1 Ω

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源击穿电压 - 550 V 800 V

额定功率 - - 63 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 - 6.6 mm 10 mm

宽度 - 6.2 mm 4.4 mm

高度 - 2.4 mm 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17