SPD11N10
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD11N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 10.5 A
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD11N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPD11N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD11N10 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 100V 10.5A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | SPD11N10和STP80NF10的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | SPD11N10和STD18N55M5的区别 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | SPD11N10和SPA04N80C3的区别 |