JAN2N3749、JANTXV2N3749、2N3749对比区别

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型号 JAN2N3749 JANTXV2N3749 2N3749

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, Metal, 4Pin, TO-111/I, 4PinTransistor, T111-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices Solitron Devices

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-111-4 TO-111 -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 2V - -

额定功率(Max) 2 W - -

封装 TO-111-4 TO-111 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -