JAN2N3749
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3749中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-111-4
外形尺寸
封装 TO-111-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N3749引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3749
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3749 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N3749 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 5A IC, 80V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, Metal, 4Pin, TO-111/I, 4Pin | JAN2N3749和JANTXV2N3749的区别 |
