FDB42AN15A0、STD18N55M5、NTB35N15T4G对比区别

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型号 FDB42AN15A0 STD18N55M5 NTB35N15T4G

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 150 V - 150 V

额定电流 35.0 A - 37.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 42.0 mΩ 0.18 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 90 W 178 W

阈值电压 - 4 V 2.9 V

漏源极电压(Vds) 150 V 550 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 550 V 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 16A 37.0 A

上升时间 19.0 ns 9.5 ns 125 ns

输入电容(Ciss) 2150pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 3200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 90 W 2 W

下降时间 - 13 ns 120 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 2 W

通道数 - 1 -

输入电容 2.15 nF - -

栅电荷 30.0 nC - -

长度 - 6.6 mm 9.65 mm

宽度 - 6.2 mm 10.29 mm

高度 - 2.4 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99