FDB42AN15A0
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB42AN15A0中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 42.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
输入电容 2.15 nF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 19.0 ns
输入电容Ciss 2150pF @25VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB42AN15A0引脚图与封装图
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在线购买FDB42AN15A0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB42AN15A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB42AN15A0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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