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BZX84J-C6V8,115、MM5Z6V8T1G、MM5Z6V8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX84J-C6V8,115 MM5Z6V8T1G MM5Z6V8

描述 齐纳二极管 550mW,BZX84J 系列,NXP SemiconductorsNXP 的 BZX84J 系列齐纳二极管为通用设备。 这些单齐纳二极管采用 SOD323F (SC-90) 封装。 此塑料封装为非常小巧的扁平引线表面安装(贴片)。 BZX84J 系列特别适用于一般调节功能。 \- 非重复峰值反向功耗:40mW \- 总功耗:550mW \- 小型塑料封装,用于表面安装设计 \- 宽工作电压范围:标称 2.4V 至 75V(E24 系列) \- 两个容差系列:2% 和 5% \- 低差分电阻 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors500mW,MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1G 系列,ON Semiconductor表面安装外壳,SOD-523 ### Zener Diodes, ON Semiconductor200mW,MM5Z 系列,Fairchild Semiconductor表面安装外壳:SOD-523F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323 SOD-523-2 SOD-523-2

额定电压(DC) - 6.80 V -

容差 ±5 % ±6 % ±6 %

额定功率 - 100 mW -

正向电压 1.1V @100mA 900mV @10mA -

耗散功率 550 mW 500 mW 200 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 6.8 V 6.8 V 6.8 V

正向电压(Max) 1.1V @100mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 550 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.55 W 500 mW 200 mW

长度 1.8 mm 1.3 mm 1.3 mm

宽度 1.35 mm 0.9 mm 0.9 mm

高度 0.8 mm 0.7 mm 0.7 mm

封装 SOD-323 SOD-523-2 SOD-523-2

材质 - Plastic -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

温度系数 2.85 mV/K 2.85 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -