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BF421、BF421-AP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF421 BF421-AP

描述 0.8W High Voltage PNP Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.5A Ic, 50 hFE.小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Continental Device ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92-3

安装方式 - Through Hole

封装 TO-92 TO-92-3

长度 - 4.95 mm

宽度 - 3.94 mm

高度 - 4.95 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

额定电压(DC) - -300 V

额定电流 - -500 mA

极性 - PNP

耗散功率 - 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) - 830 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

工作温度 - 150℃ (TJ)