BF421-AP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 830 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.95 mm
宽度 3.94 mm
高度 4.95 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF421-AP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF421-AP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF421-AP | ST Microelectronics 意法半导体 | 小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BF421-AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF421-AP 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-92 PNP -300V -500mA 830mW | 当前型号 | 小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BCP53 品牌： 安森美 封装： SOT-223-4 PNP | 功能相似 | PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT | BF421-AP和BCP53的区别 |
| 型号： KSP92TA 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 功能相似 | ON Semiconductor KSP92TA , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BF421-AP和KSP92TA的区别 |
| 型号： BF421 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 0.8W High Voltage PNP Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.5A Ic, 50 hFE. | BF421-AP和BF421的区别 |