FDMA1028NZ、FDME1024NZT、FDMA1023PZ对比区别

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型号 FDMA1028NZ FDME1024NZT FDMA1023PZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1028NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1024NZT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mVON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA1023PZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 6 6

封装 WDFN-6 MicroFET-6 WDFN-6

通道数 - 2 -

针脚数 8 6 6

漏源极电阻 0.068 Ω 0.055 Ω 60 mΩ

极性 N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 1.4 W 1.4 W 1.5 W

阈值电压 1 V 700 mV 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) 3.70 A 3.8A -

上升时间 8 ns 2 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 340pF @10V(Vds) 225pF @10V(Vds) 655pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 600 mW 700 mW

下降时间 3 ns 1.7 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4 W 1400 mW 1.5 W

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 3.70 A - -

输入电容 340 pF - -

栅电荷 6.00 nC - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

长度 2 mm 1.6 mm 2 mm

宽度 2 mm 1.6 mm 2 mm

高度 0.75 mm 0.5 mm 0.75 mm

封装 WDFN-6 MicroFET-6 WDFN-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -