BFG35,115、BFU590GX、MRF587对比区别

高亮显示差异参数

型号 BFG35,115 BFU590GX MRF587

描述 NXP  BFG35,115  晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 244A-01

频率 4000 MHz - -

针脚数 3 4 -

极性 NPN - NPN

耗散功率 1 W 2 W 5 W

击穿电压(集电极-发射极) 18 V 12 V 17 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 @100mA, 10V 60 @80mA, 8V 50 @50mA, 5V

额定功率(Max) 1 W 2 W -

直流电流增益(hFE) 70 60 -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 2000 mW -

输入电容 - 3.9 pF -

增益频宽积 - 8.5 GHz -

增益 - 8 dB 13 dB

最大电流放大倍数(hFE) - 130 -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 244A-01

工作温度 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -