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BFU590GX
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

RF NPN 12V 200mA 8.5GHz 2W 表面贴装型 SOT-223


立创商城:
NPN 12V 80mA


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223


贸泽:
RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor


艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.2A 4-Pin SOT223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


RfMW:
RF Transistor, 8.5 GHz, 13 dB, Silicon, SOT223


BFU590GX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 2 W

输入电容 3.9 pF

增益频宽积 8.5 GHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 8 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @80mA, 8V

最大电流放大倍数hFE 130

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU590GX引脚图与封装图
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在线购买BFU590GX
型号 制造商 描述 购买
BFU590GX NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE 搜索库存
替代型号BFU590GX
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFU590GX

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-261-4 2000mW

当前型号

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

当前型号

型号: BFG35,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 NPN 1000mW

功能相似

NXP  BFG35,115  晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

BFU590GX和BFG35,115的区别