BC857BW,115、BC857BWT1G、BC857BW-7-F对比区别

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型号 BC857BW,115 BC857BWT1G BC857BW-7-F

描述 NXP  BC857BW,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 220 hFEON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFEDIODES INC.  BC857BW-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

频率 100 MHz 100 MHz 200 MHz

额定电压(DC) - -45.0 V -65.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW 150 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) 220 150 290

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 - EAR99 EAR99