70T651S10BFG、70V7519S133BFI、70T651S10BFG8对比区别

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型号 70T651S10BFG 70V7519S133BFI 70T651S10BFG8

描述 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAMHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACESRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 LFBGA-208 CABGA-208

长度 15 mm 15.0 mm 15 mm

宽度 15 mm 15.0 mm 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 LFBGA-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -

电源电压 - 3.15V ~ 3.45V -