MUN2232T1、MUN2233T1G、MUN2232T1G对比区别
型号 MUN2232T1 MUN2233T1G MUN2232T1G
描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORNPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-59 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 338 mW 338 mW 338 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 15 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 80 -
额定功率(Max) - 230 mW 338 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 338 mW 338 mW 338 mW
长度 - 2.9 mm 2.9 mm
宽度 - 1.5 mm 1.5 mm
高度 - 1.09 mm 1.09 mm
封装 SC-59 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99