BSB015N04NX3G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSB015N04NX3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 6.4 ns
下降时间 7.6 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WDSON
外形尺寸
封装 WDSON
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSB015N04NX3G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB015N04NX3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率MOSFET OptiMOS3 Power-MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSB015N04NX3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB015N04NX3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： WDSON N-CH 40V 35A | 当前型号 | OptiMOS3功率MOSFET OptiMOS3 Power-MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSB015N04NX3GXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 40V 35A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 4 V | BSB015N04NX3G和BSB015N04NX3GXUMA1的区别 |