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MPSW01、MPSW01G、MPSW01_D74Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW01 MPSW01G MPSW01_D74Z

描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR  MPSW01G  功率晶体管, NPNTrans GP BJT NPN 30V 1A 3Pin TO-226 Ammo

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226

频率 - 50 MHz -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 1 W -

集电极击穿电压 - 40.0 V -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W -

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 0.01 W

增益频宽积 - - 50 MHz

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99