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MPSW01G

MPSW01G

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ON SEMICONDUCTOR  MPSW01G  功率晶体管, NPN

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the NPN BJT, developed by , is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product comes packaged in bulk, so the parts will be stored loosely. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MPSW01G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

集电极击穿电压 40.0 V

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MPSW01G引脚图与封装图
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在线购买MPSW01G
型号 制造商 描述 购买
MPSW01G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MPSW01G  功率晶体管, NPN 搜索库存
替代型号MPSW01G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MPSW01G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-92 NPN 30V 1A 1000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MPSW01G  功率晶体管, NPN

当前型号

型号： MPSW01

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-226 30V 1A

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MPSW01G和MPSW01的区别

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品牌： 美台

封装： TO-92 NPN 30V 1A 1000mW

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