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FDS5690、IRF7478PBF、IRF7478对比区别

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型号 FDS5690 IRF7478PBF IRF7478

描述 FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC TubeTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 7.00 A 4.20 A 4.20 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7478 IRF7478

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 4.20 A 7.00 A

上升时间 9 ns 2.60 ns 2.60 ns

输入电容(Ciss) 1107pF @30V(Vds) 1740pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电阻 28.0 mΩ - -

输入电容 1.11 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -