FDS5690
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS5690中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 28.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.11 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1107pF @30VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS5690引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS5690
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS5690 | Fairchild 飞兆/仙童 | FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号FDS5690
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS5690 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 60V 7A 28mohms 1.11nF | 当前型号 | FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： IRF7478QPBF 品牌： 国际整流器 封装： | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC | FDS5690和IRF7478QPBF的区别 |
| 型号： STS5NF60L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 60V 2.5A 55mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS5NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1.7 V | FDS5690和STS5NF60L的区别 |
| 型号： IRF7478PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 7A | 功能相似 | MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | FDS5690和IRF7478PBF的区别 |