TLV2252AIDRG4、TLV2252AQDRQ1、TLV2252AIDR对比区别

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型号 TLV2252AIDRG4 TLV2252AQDRQ1 TLV2252AIDR

描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压 LinCMOS 运算放大器，TLV 系列### 运算放大器，Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 70 µA 70 µA 70 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 725 mW 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 0.2 MHz 200 kHz 200 kHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.2 MHz 0.2 MHz 0.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 16 V 8 V

电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

电源电压 - - 2.7V ~ 8V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free