STP140NF55、STP5NK100Z、IPP80N06S2L07AKSA1对比区别

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型号 STP140NF55 STP5NK100Z IPP80N06S2L07AKSA1

描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.008 Ω 3.7 Ω 0.007 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 125 W 210 W

阈值电压 3 V 3.75 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 55 V 1 kV 60 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 3.50 A 80A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

额定电压(DC) 55.0 V 1.00 kV -

额定电流 80.0 A 3.50 A -

额定功率 - 125 W -

漏源击穿电压 55 V 1.00 kV -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

上升时间 150 ns 7.7 ns -

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 300 W 125 W -

下降时间 45 ns 19 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 125W (Tc) -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 15.75 mm 9.15 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -