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IPP80N06S2L07AKSA1

IPP80N06S2L07AKSA1

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.6 V

The IPP80N06S2L-07 is a N-channel MOSFET Transistor with high current and low switching capability.

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N-channel- Enhancement Mode
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Automotive AEC Q101 Qualified
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MSL1 up to 260°C Peak Reflow
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100% Avalanche Tested
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Lowest Switching and Conduction Power Losses for Highest Thermal Efficiency
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Optimized Total Gate Charge Enables Smaller Driver Output Stages
IPP80N06S2L07AKSA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-CH

耗散功率 210 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Lighting, 工业, 照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP80N06S2L07AKSA1引脚图与封装图
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