IRF3205S、IRF3205SPBF、IRF3205STRLPBF对比区别

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型号 IRF3205S IRF3205SPBF IRF3205STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 110AINFINEON  IRF3205SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF3205STRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 200 W 200 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.008 Ω 0.008 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 200 W

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - 3247pF @25V 3247 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A

上升时间 101 ns 101 ns 101 ns

输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 200 W 200 W

下降时间 65 ns 65 ns 65 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)

漏源击穿电压 - 55 V -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17