IRF3205SPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF3205SPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
输入电容 3247pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF3205SPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF3205SPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF3205SPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IRF3205SPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF3205SPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 110A | 当前型号 | INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
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| 型号： IRF3205STRRPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 55V 110A | 类似代替 | D2PAK N-CH 55V 110A | IRF3205SPBF和IRF3205STRRPBF的区别 |
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