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KST4401MTF、MMBT4401、SMMBT4401LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST4401MTF MMBT4401 SMMBT4401LT1G

描述 ON Semiconductor KST4401MTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装ON Semiconductor MMBT4401 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 3引脚 SOT-23封装NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

针脚数 - 3 3

极性 - - NPN

耗散功率 0.35 W 0.35 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 300 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW 300 mW

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.97 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99