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MT16VDDF12864HY-40BF2、MT16VDDF12864HY-40BJ1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT16VDDF12864HY-40BF2 MT16VDDF12864HY-40BJ1

描述 MODULE DDR SDRAM 1GB 200SODIMMMODULE DDR SDRAM 1GB 200SODIMM

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 200 200

封装 SODIMM-200 SODIMM-200

电源电压(DC) 2.60 V -

内存容量 1000000000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

高度 38.1 mm -

封装 SODIMM-200 SODIMM-200

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free