STN1HNK60、BSP130,115、BSP122,115对比区别

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型号 STN1HNK60 BSP130,115 BSP122,115

描述 STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VNXP  BSP130,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 VNXP  BSP122,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 8 Ω 6 Ω 1.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.3 W 1.5 W 1.5 W

阈值电压 3 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 300 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 350 mA 550 mA

输入电容(Ciss) 156pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.3 W 1.5 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 400 mA - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 5 ns - -

下降时间 25 ns - -

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.8 mm 1.7 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17