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BSP19,115、BSP19AT1G、BSP19对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP19,115 BSP19AT1G BSP19

描述 NXP  BSP19,115  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.2 W, 100 mA, 40 hFEON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Power Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 3 -

封装 TO-261-4 SOT-223 -

频率 70 MHz - -

针脚数 4 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.2 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V - -

额定功率(Max) 1.2 W - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1200 mW - -

额定电压(DC) - 350 V -

额定电流 - 1.00 A -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

封装 TO-261-4 SOT-223 -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Reel -

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -