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LM258DG、LM258DR2G、LM258D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258DG LM258DR2G LM258D

描述 ON SEMICONDUCTOR  LM258DG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚LM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出电流 60 mA 60 mA 40 mA

供电电流 1.5 mA 1.5 mA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 85 dB 85 dB 70 dB

带宽 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz

转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 1 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 70 dB 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 3V ~ 32V 3V ~ 32V 3V ~ 30V

电源电压(DC) 5.00 V - 32.0 V

电源电压(Max) 32 V - 30 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

输入电压 0V ~ 28.3V - -

耗散功率 - - 500 mW

长度 5.0038 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -