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IRGS15B60KDPBF、IRGS15B60KDTRRP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGS15B60KDPBF IRGS15B60KDTRRP

描述 INFINEON  IRGS15B60KDPBF  晶体管, IGBT, 600V, 31ATrans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 208 W 208000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 92 ns 92 ns

额定功率(Max) 208 W 208 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208000 mW 208000 mW

额定功率 139 W -

针脚数 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99