IRGS15B60KDTRRP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGS15B60KDTRRP中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 208000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 92 ns
额定功率Max 208 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRGS15B60KDTRRP引脚图与封装图
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在线购买IRGS15B60KDTRRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGS15B60KDTRRP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRGS15B60KDTRRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGS15B60KDTRRP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 208000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRGS15B60KDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 208000mW | 类似代替 | INFINEON IRGS15B60KDPBF 晶体管, IGBT, 600V, 31A | IRGS15B60KDTRRP和IRGS15B60KDPBF的区别 |